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并口MRAM存儲芯片MR0A08BMA35

2018-06-21 11:51:55


Everspin科技公司成立于2006年，從飛思卡爾半導體公司獨立分離出來，成為一家專注于研發(fā)開發(fā)MRAM磁性存儲芯片的半導體科技公司，目前Everspin科技公司產品線包括串行SPI MRAM，256Kb并行MRAM，1Mb并行MRAM， 4Mb并行MRAM，16Mb并行MRAM,STT-MRAM等產品，產品應用數據存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領域。

MR0A08BMA35是Everspin一款并行MRAM芯片非易失性產品，3.3V電壓，由128Kx8位構成，35ns的快速讀/寫周期，工作范圍0℃ to +70℃，在工作溫度范圍內數據保持期長達20年以上而不會丟失,用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案，并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素

并行MRAM芯片非易失性產品型號參考：
Density
 Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V 0 ℃to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40 to +105C
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃


本文關鍵詞：Everspin
 
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